창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BC859CE6327HTSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BC856 - BC860 | |
PCN 단종/ EOL | Multi Device EOL 4/Feb/2016 | |
PCN 포장 | Carrier Tape Update 03/Jun/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 생산 종료 | |
트랜지스터 유형 | PNP | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 30V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 650mV @ 5mA, 100mA | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 15nA(ICBO) | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 420 @ 2mA, 5V | |
전력 - 최대 | 330mW | |
주파수 - 트랜지션 | 250MHz | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | PG-SOT23-3 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | BC 859C E6327 BC 859C E6327-ND BC 859C E6327TR-ND BC859CE6327 BC859CE6327XT SP000010637 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BC859CE6327HTSA1 | |
관련 링크 | BC859CE63, BC859CE6327HTSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | EGP10A-M3/54 | DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL | EGP10A-M3/54.pdf | |
![]() | RT1405B7TR13 | RES NTWRK 18 RES 22 OHM 36LBGA | RT1405B7TR13.pdf | |
![]() | EMVZ250ADA270MF60G | EMVZ250ADA270MF60G Chemi-con NA | EMVZ250ADA270MF60G.pdf | |
![]() | DF2L907V25057 | DF2L907V25057 SAMW DIP | DF2L907V25057.pdf | |
![]() | L2193 | L2193 HAMAMATSU SMD or Through Hole | L2193.pdf | |
![]() | 1010000000 | 1010000000 WDML SMD or Through Hole | 1010000000.pdf | |
![]() | TC-18-SO-WIDE | TC-18-SO-WIDE ORIGINAL SMD or Through Hole | TC-18-SO-WIDE.pdf | |
![]() | PBD3545/5N | PBD3545/5N Ericsson TO-5 | PBD3545/5N.pdf | |
![]() | PSCEV1HA2R2SJ | PSCEV1HA2R2SJ RUBYCON SMD or Through Hole | PSCEV1HA2R2SJ.pdf | |
![]() | MIG100Q7CSA0X | MIG100Q7CSA0X ORIGINAL SMD or Through Hole | MIG100Q7CSA0X.pdf | |
![]() | BCF233912474 | BCF233912474 VISHAY SMD | BCF233912474.pdf |