창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BC857BT-7-F | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BC857AT, BT, CT | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 설계/사양 | Green Encapsulate Change 09/July/2007 Bond Wire 16/Sept/2008 | |
| 카탈로그 페이지 | 1571 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | PNP | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 45V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 650mV @ 5mA, 100mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 15nA(ICBO) | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 220 @ 2mA, 5V | |
| 전력 - 최대 | 150mW | |
| 주파수 - 트랜지션 | 100MHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOT-523 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-523 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | BC857BT-FDITR BC857BT7F | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BC857BT-7-F | |
| 관련 링크 | BC857B, BC857BT-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | 251R15S6R2DV4E | 6.2pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.080" L x 0.050" W(2.03mm x 1.27mm) | 251R15S6R2DV4E.pdf | |
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![]() | GCIXE5417ECA0 | GCIXE5417ECA0 INTEL BGA | GCIXE5417ECA0.pdf | |
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![]() | GRM1882S1H470J801D | GRM1882S1H470J801D MURATA SMD or Through Hole | GRM1882S1H470J801D.pdf | |
![]() | 2SD326 | 2SD326 SON TO-3 | 2SD326.pdf | |
![]() | SG-636PCE4.0000MC0 | SG-636PCE4.0000MC0 EPSON SMD or Through Hole | SG-636PCE4.0000MC0.pdf | |
![]() | NRC10TR1/10W | NRC10TR1/10W NIP SMD or Through Hole | NRC10TR1/10W.pdf |