창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BC807-16-7-F | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BC807-16, 25, 40 | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 설계/사양 | Green Encapsulate 15/May/2008 | |
| PCN 기타 | Copper Bond Wire and Wafer Source 07/Nov/2013 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1571 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | PNP | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 500mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 45V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 700mV @ 50mA, 500mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 100nA | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 100 @ 100mA, 1V | |
| 전력 - 최대 | 310mW | |
| 주파수 - 트랜지션 | 100MHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23-3 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | BC807-16-FDITR BC807-16-FDITR-ND BC807-16FDITR BC807167F | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BC807-16-7-F | |
| 관련 링크 | BC807-1, BC807-16-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | ESMH251VNN122MA45T | 1200µF 250V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 207 mOhm 2000 Hrs @ 85°C | ESMH251VNN122MA45T.pdf | |
![]() | VSSR1603103JTF | RES ARRAY 8 RES 10K OHM 16SSOP | VSSR1603103JTF.pdf | |
![]() | SIL9993 | SIL9993 SILCON QFP100 | SIL9993.pdf | |
![]() | 0805 2.2UH | 0805 2.2UH TDK SMD or Through Hole | 0805 2.2UH.pdf | |
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![]() | LTC3407EDD-2#PBF TEL:82766440 | LTC3407EDD-2#PBF TEL:82766440 LINEAR SMD or Through Hole | LTC3407EDD-2#PBF TEL:82766440.pdf | |
![]() | MT1379BE | MT1379BE MT QFP | MT1379BE.pdf | |
![]() | 1SV325 | 1SV325 TOSHIBA SOD-523 | 1SV325.pdf | |
![]() | 215RCNALA11FL(9500) | 215RCNALA11FL(9500) ATI BGA | 215RCNALA11FL(9500).pdf | |
![]() | EP1545SJTTS19440MHz | EP1545SJTTS19440MHz ECL SMD or Through Hole | EP1545SJTTS19440MHz.pdf |