창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BBS3002-DL-1E | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BBS3002 | |
PCN 조립/원산지 | Additional Wafer Fab Site 11/Aug/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 4V 구동 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.8m옴 @ 50A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 280nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 13200pF @ 20V | |
전력 - 최대 | 90W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D²PAK(TO-263) | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | BBS3002-DL-1E-ND BBS3002-DL-1EOSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BBS3002-DL-1E | |
관련 링크 | BBS3002, BBS3002-DL-1E 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | SC3BH15FF | BRIDGE RECT 4A 150V | SC3BH15FF.pdf | |
![]() | PAT0805E6262BST1 | RES SMD 62.6K OHM 0.1% 1/5W 0805 | PAT0805E6262BST1.pdf | |
![]() | HDM14JT30R0 | RES 30 OHM 1/4W 5% AXIAL | HDM14JT30R0.pdf | |
![]() | E6D-CWZ1E 2000P/R | ENCODER ROTARY 5V 2000RESOLUTION | E6D-CWZ1E 2000P/R.pdf | |
![]() | BYWS1200-75LCV | BYWS1200-75LCV ST SMD or Through Hole | BYWS1200-75LCV.pdf | |
![]() | ZM20VC | ZM20VC TCKELCJTCON LL-34 | ZM20VC.pdf | |
![]() | P1166104NLT | P1166104NLT PUL SMD or Through Hole | P1166104NLT.pdf | |
![]() | 2DAII | 2DAII ORIGINAL BGA | 2DAII.pdf | |
![]() | GTR-S0817 | GTR-S0817 ORIGINAL SMD or Through Hole | GTR-S0817.pdf | |
![]() | GRM2161X1H511JZ01D | GRM2161X1H511JZ01D MURATA SMD or Through Hole | GRM2161X1H511JZ01D.pdf | |
![]() | FA7706F | FA7706F N/A QFP | FA7706F.pdf | |
![]() | 6SC33K | 6SC33K Sanyo N A | 6SC33K.pdf |