홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » FET - 단일 » BBS3002-DL-1E

ON Semiconductor BBS3002-DL-1E

BBS3002-DL-1E
제조업체 부품 번호
BBS3002-DL-1E
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET P-CH 60V 100A D2PAK
데이터 시트 다운로드
다운로드
BBS3002-DL-1E 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 2,112.73920
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 BBS3002-DL-1E 재고가 있습니다. 우리는 ON Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 ON Semiconductor 전자 부품 전문. BBS3002-DL-1E 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. BBS3002-DL-1E가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
BBS3002-DL-1E 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
BBS3002-DL-1E 매개 변수
내부 부품 번호EIS-BBS3002-DL-1E
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서BBS3002
PCN 조립/원산지Additional Wafer Fab Site 11/Aug/2014
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체ON Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET P-Chan, 금속 산화물
FET 특징논리 레벨 게이트, 4V 구동
드레인 - 소스 전압(Vdss)60V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C100A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs5.8m옴 @ 50A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)-
게이트 전하(Qg) @ Vgs280nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds13200pF @ 20V
전력 - 최대90W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB
공급 장치 패키지D²PAK(TO-263)
표준 포장 800
다른 이름BBS3002-DL-1E-ND
BBS3002-DL-1EOSTR
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)BBS3002-DL-1E
관련 링크BBS3002, BBS3002-DL-1E 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통
BBS3002-DL-1E 의 관련 제품
1200µF 30V Aluminum Capacitors Axial, Can 2000 Hrs @ 105°C 601D128G030FL3.pdf
TVS DIODE 172VWM 277VC AXIAL 20KPA172A.pdf
RES SMD 383K OHM 0.1% 1/8W 0805 RT0805BRC07383KL.pdf
LT1490CS8PBF LINEARTECHNOLOGY SMD or Through Hole LT1490CS8PBF.pdf
6935 ST QFN 6935.pdf
TS472EIJT STM QFN TS472EIJT.pdf
W78E62P Winbond PLCC44 W78E62P.pdf
TBW-251 NETD SMD or Through Hole TBW-251.pdf
R42180R-RR1 ORIGINAL SMD or Through Hole R42180R-RR1.pdf
DMS2220 DIODES SMD or Through Hole DMS2220.pdf
ACR0603T2402F ORIGINAL SMD or Through Hole ACR0603T2402F.pdf
JAN2N5667 NES TO-5 JAN2N5667.pdf