창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BAW56QAZ | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BAW56QA | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 양극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 표준 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 90V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 180mA(DC) | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.25V @ 150mA | |
| 속도 | 소형 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 | |
| 역회복 시간(trr) | 4ns | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 80V | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 3-XDFN 노출형 패드 | |
| 공급 장치 패키지 | DFN1010D-3 | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 다른 이름 | 568-12983-2 934069812147 BAW56QAZ-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BAW56QAZ | |
| 관련 링크 | BAW5, BAW56QAZ 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
![]() | CDEIR6D31FHF-4R7MC | 4.7µH Shielded Inductor 4.7A 26 mOhm Max Nonstandard | CDEIR6D31FHF-4R7MC.pdf | |
![]() | LPA0618-500KL | 50µH Unshielded Wirewound Inductor 800mA 200 mOhm Max Axial | LPA0618-500KL.pdf | |
![]() | NP36N055SLE | NP36N055SLE NEC SMD or Through Hole | NP36N055SLE.pdf | |
![]() | TND09V-361KB00AAA0 | TND09V-361KB00AAA0 NIPPON DIP | TND09V-361KB00AAA0.pdf | |
![]() | XC3S5000FGG1156 | XC3S5000FGG1156 ORIGINAL BGA | XC3S5000FGG1156.pdf | |
![]() | S01917A | S01917A SMK SMD or Through Hole | S01917A.pdf | |
![]() | GF-108-300-A1 | GF-108-300-A1 NVIDIA BGA | GF-108-300-A1.pdf | |
![]() | LTC3770EG | LTC3770EG LT SMD or Through Hole | LTC3770EG.pdf | |
![]() | MIC24LC32AI/SN | MIC24LC32AI/SN MIC SOP-8 | MIC24LC32AI/SN.pdf | |
![]() | R7S21007 | R7S21007 Powerex module | R7S21007.pdf | |
![]() | 863001060TLF | 863001060TLF FCI SMD or Through Hole | 863001060TLF.pdf | |
![]() | AH138-28-WLA-B | AH138-28-WLA-B ANACHIP SOT23-5L | AH138-28-WLA-B.pdf |