창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BAW56-G3-18 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BAW56-G | |
비디오 파일 | Functions & Parameters of the “Simplest” Semiconductor | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 구성 | 공통 양극 1쌍 | |
다이오드 유형 | 표준 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 70V | |
전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 250mA | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.25V @ 150mA | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | 6ns | |
전류 - 역누설 @ Vr | 2.5mA @ 70V | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23 | |
표준 포장 | 10,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BAW56-G3-18 | |
관련 링크 | BAW56-, BAW56-G3-18 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | MKP383356100JC02R0 | 0.56µF Film Capacitor 350V 1000V (1kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.689" L x 0.394" W (17.50mm x 10.00mm) | MKP383356100JC02R0.pdf | |
![]() | WSL20106L000FEA18 | RES SMD 0.006 OHM 1% 1W 2010 | WSL20106L000FEA18.pdf | |
![]() | UWXOJ220MCR2GB | UWXOJ220MCR2GB ORIGINAL SMD or Through Hole | UWXOJ220MCR2GB.pdf | |
![]() | 1N992D | 1N992D MICROSEMI SMD | 1N992D.pdf | |
![]() | SP6200EM5-3-0 TR | SP6200EM5-3-0 TR SIPEX SOT23-5 | SP6200EM5-3-0 TR.pdf | |
![]() | 36.862MHZ | 36.862MHZ ORIGINAL SMD or Through Hole | 36.862MHZ.pdf | |
![]() | AMZV 1H102JF3 | AMZV 1H102JF3 ORIGINAL SMD or Through Hole | AMZV 1H102JF3.pdf | |
![]() | CY7C1460AV33 | CY7C1460AV33 CYP SMD or Through Hole | CY7C1460AV33.pdf | |
![]() | BP-2412D6 LF | BP-2412D6 LF BOTHHAND DIP24 | BP-2412D6 LF.pdf | |
![]() | PE42112DI-Z | PE42112DI-Z PEREGNINE FLIPCHIP | PE42112DI-Z.pdf | |
![]() | K6X1008T2D | K6X1008T2D SAMSUNG TSOP32 | K6X1008T2D.pdf | |
![]() | 1N3647 | 1N3647 MICROSEMI SMD | 1N3647.pdf |