창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BAV70T-7-F | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BAS16T, BAV70T, BAV99T, BAW56T Datasheet | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 설계/사양 | Green Encapsulate Change 09/July/2007 Bond Wire 16/Sept/2008 | |
| PCN 기타 | Copper Bond Wire and Wafer Source 07/Nov/2013 | |
| 카탈로그 페이지 | 1591 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 표준 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 85V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 75mA(DC) | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1V @ 50mA | |
| 속도 | 소형 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 | |
| 역회복 시간(trr) | 4ns | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 2µA @ 75V | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOT-523 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-523 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | BAV70T-FDITR BAV70T7F | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BAV70T-7-F | |
| 관련 링크 | BAV70T, BAV70T-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | GW SBLMA1.EM-HQHR-A737-L1N2 | DURIS S 2 3000K | GW SBLMA1.EM-HQHR-A737-L1N2.pdf | |
![]() | CRCW06039M10JNEA | RES SMD 9.1M OHM 5% 1/10W 0603 | CRCW06039M10JNEA.pdf | |
![]() | RP131S121B-E2-F | RP131S121B-E2-F RICOH SOP-6 | RP131S121B-E2-F.pdf | |
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![]() | ULN2003AFWG(ONEA2B | ULN2003AFWG(ONEA2B TOSHIBA DIP SOP QFP | ULN2003AFWG(ONEA2B.pdf | |
![]() | NT-42C1-0485 | NT-42C1-0485 LIGHTSCIENCE SMD or Through Hole | NT-42C1-0485.pdf | |
![]() | HSC277 TEL:82766440 | HSC277 TEL:82766440 Renesas SMD or Through Hole | HSC277 TEL:82766440.pdf | |
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