창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BAV20,133 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BAV20, BAV21 | |
| PCN 기타 | SOD27,66,68,80 Package 29/Jul/2013 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 박스(TB) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 표준 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 150V | |
| 전류 -평균 정류(Io) | 250mA(DC) | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.25V @ 200mA | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | 50ns | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 150V | |
| 정전 용량 @ Vr, F | 5pF @ 0V, 1MHz | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | ALF2 | |
| 작동 온도 - 접합 | 175°C(최대) | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 다른 이름 | 568-7921-3 933189200133 BAV20,133-ND BAV20133 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BAV20,133 | |
| 관련 링크 | BAV20, BAV20,133 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
![]() | 30KPA60CE3/TR13 | TVS DIODE 60VWM P600 | 30KPA60CE3/TR13.pdf | |
![]() | LDS6000NQGI | LDS6000NQGI IDT QFN28 | LDS6000NQGI.pdf | |
![]() | 603-1RCL | 603-1RCL ORIGINAL SMD or Through Hole | 603-1RCL.pdf | |
![]() | K5R1GBDCM-DK75 | K5R1GBDCM-DK75 ORIGINAL BGA | K5R1GBDCM-DK75.pdf | |
![]() | ZJ10A | ZJ10A ORIGINAL DO-35 | ZJ10A.pdf | |
![]() | XFVDSLCO | XFVDSLCO XFMRS P8 | XFVDSLCO.pdf | |
![]() | RJ26FW202 | RJ26FW202 BOU SMD or Through Hole | RJ26FW202.pdf | |
![]() | MCP1826S-3002E/EB | MCP1826S-3002E/EB MICROCHIP SMD or Through Hole | MCP1826S-3002E/EB.pdf | |
![]() | CSACW33M8X51-RO(33.8688MHZ) | CSACW33M8X51-RO(33.8688MHZ) MURATA 2X2.5-2P | CSACW33M8X51-RO(33.8688MHZ).pdf | |
![]() | AR8113-2L1R | AR8113-2L1R ATHEROS QFN | AR8113-2L1R.pdf | |
![]() | ACER | ACER max 6 SOT-23 | ACER.pdf |