창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BAT54C,215 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BAT54 Series Datasheet | |
| PCN 설계/사양 | Resin Hardener 02/Jul/2013 | |
| PCN 조립/원산지 | Wafer Fab/Die 28/Apr/2013 | |
| PCN 포장 | Lighter Reels 02/Jan/2014 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1504 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 30V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 200mA(DC) | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 800mV @ 100mA | |
| 속도 | 소형 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 | |
| 역회복 시간(trr) | 5ns | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 2µA @ 25V | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23(TO-236AB) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 568-1612-2 933976370215 BAT54C T/R BAT54C215 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BAT54C,215 | |
| 관련 링크 | BAT54C, BAT54C,215 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
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![]() | ECS-200-CDX-0998 | 20MHz ±10ppm 수정 10pF 50옴 -60°C ~ 105°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | ECS-200-CDX-0998.pdf | |
![]() | ERA-1AEB3160C | RES SMD 316 OHM 0.1% 1/20W 0201 | ERA-1AEB3160C.pdf | |
![]() | RT0805CRD07499KL | RES SMD 499K OHM 0.25% 1/8W 0805 | RT0805CRD07499KL.pdf | |
![]() | CAT93C46JI-TE13 | CAT93C46JI-TE13 CSI SOP8 | CAT93C46JI-TE13.pdf | |
![]() | IXFH6N90 | IXFH6N90 IXYS SMD or Through Hole | IXFH6N90.pdf | |
![]() | 1035A | 1035A N/A SOP-8 | 1035A.pdf | |
![]() | SO8104 | SO8104 ORIGINAL QFP | SO8104.pdf | |
![]() | LTL-1BEDJ-0B2 | LTL-1BEDJ-0B2 ORIGINAL ORIGINAL | LTL-1BEDJ-0B2.pdf | |
![]() | 15uf35V10%C | 15uf35V10%C avetron SMD or Through Hole | 15uf35V10%C.pdf | |
![]() | ETD109EZ | ETD109EZ ECE DIP | ETD109EZ.pdf | |
![]() | TLS2247 | TLS2247 TI SMD or Through Hole | TLS2247.pdf |