창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-B43564E2229M | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | B43564,84 Series | |
PCN 설계/사양 | Material Change 27/Mar/2015 | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
제조업체 | EPCOS (TDK) | |
계열 | B43564 | |
포장 | 벌크 | |
정전 용량 | 22000µF | |
허용 오차 | ±20% | |
정격 전압 | 200V | |
등가 직렬 저항(ESR) | 8m옴 @ 100Hz | |
수명 @ 온도 | 15000시간(85°C) | |
작동 온도 | -25°C ~ 85°C | |
분극 | 극성 | |
응용 제품 | 범용 | |
리플 전류 | 35.9A @ 100Hz | |
임피던스 | 6m옴 | |
리드 간격 | 1.248"(31.70mm) | |
크기/치수 | 3.583" Dia(91.00mm) | |
높이 - 장착(최대) | 5.728"(145.50mm) | |
표면 실장 면적 크기 | - | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | 레이디얼, Can - 나사형 단자 | |
표준 포장 | 18 | |
다른 이름 | B43564E2229M000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | B43564E2229M | |
관련 링크 | B43564E, B43564E2229M 데이터 시트, EPCOS (TDK) 에이전트 유통 |
![]() | VJ0805D330JXXAC | 33pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D330JXXAC.pdf | |
![]() | W107DIP-4 | W107DIP-4 ORIGINAL DIP4 | W107DIP-4.pdf | |
![]() | AD9380KSTZ- | AD9380KSTZ- ADI SMD or Through Hole | AD9380KSTZ-.pdf | |
![]() | EDE5116AF-6E-E | EDE5116AF-6E-E ELPIDA BGA | EDE5116AF-6E-E.pdf | |
![]() | TL052CDRG4(P/B) | TL052CDRG4(P/B) TI 3.9mm-8 | TL052CDRG4(P/B).pdf | |
![]() | ODV-42T(HXB)-2K | ODV-42T(HXB)-2K ORIGINAL SMD or Through Hole | ODV-42T(HXB)-2K.pdf | |
![]() | HCP1E680MB12 | HCP1E680MB12 HICON/HIT DIP | HCP1E680MB12.pdf | |
![]() | 2N336 | 2N336 MICROSEMI SMD | 2N336.pdf | |
![]() | RC2012F1001CS | RC2012F1001CS SAMSUNG SMD or Through Hole | RC2012F1001CS.pdf | |
![]() | NS16C450 | NS16C450 ORIGINAL DIP | NS16C450.pdf | |
![]() | T832 | T832 ORIGINAL DIP16 | T832.pdf | |
![]() | 15252120 | 15252120 ORIGINAL PLCC | 15252120.pdf |