창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-B43510B6567M80 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | B43510,20 Series | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
| 제조업체 | EPCOS (TDK) | |
| 계열 | B43510 | |
| 포장 | 벌크 | |
| 정전 용량 | 560µF | |
| 허용 오차 | ±20% | |
| 정격 전압 | 500V | |
| 등가 직렬 저항(ESR) | 200m옴 @ 100Hz | |
| 수명 @ 온도 | 5000시간(85°C) | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
| 분극 | 극성 | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 리플 전류 | 2.33A @ 100Hz | |
| 임피던스 | 280m옴 | |
| 리드 간격 | 0.984"(25.00mm) | |
| 크기/치수 | 1.378" Dia(35.00mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | 2.843"(72.20mm) | |
| 표면 실장 면적 크기 | - | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | 방사상, 캔 - 스냅인 - 4 리드 | |
| 표준 포장 | 66 | |
| 다른 이름 | B43510B6567M080 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | B43510B6567M80 | |
| 관련 링크 | B43510B6, B43510B6567M80 데이터 시트, EPCOS (TDK) 에이전트 유통 | |
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![]() | VJ1812Y393KBBAT4X | 0.039µF 100V 세라믹 커패시터 X7R 1812(4532 미터법) 0.183" L x 0.126" W(4.65mm x 3.20mm) | VJ1812Y393KBBAT4X.pdf | |
![]() | R6004ENX | MOSFET N-CH 600V 4A TO220 | R6004ENX.pdf | |
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![]() | NT9926 | NT9926 IC SMD or Through Hole | NT9926.pdf | |
![]() | S386C365 | S386C365 ORIGINAL SMD or Through Hole | S386C365.pdf | |
![]() | UPA672 | UPA672 NEC SMD or Through Hole | UPA672.pdf | |
![]() | D44C7 | D44C7 S TO-220 | D44C7.pdf | |
![]() | D1802-T | D1802-T SANYO TO-252 | D1802-T .pdf | |
![]() | A6150E5VR-28A | A6150E5VR-28A AIT-IC SOT23-5 | A6150E5VR-28A.pdf | |
![]() | 8E | 8E MPS QFN | 8E.pdf | |
![]() | SN65HVD234D(R) | SN65HVD234D(R) ORIGINAL SMD or Through Hole | SN65HVD234D(R).pdf |