창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-B125C1000G-E4/51 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | B40C1000G thru B380C1000G Packaging Information | |
PCN 설계/사양 | DD-015-2015-Rev-0 07/Apr/2015 | |
PCN 조립/원산지 | DD-010-2014-Rev-0 11/Jun/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 브리지 정류기 | |
제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 단상 | |
전압 - 피크 역(최대) | 200V | |
전류 - DC 순방향(If) | 1A | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | 4-원형, WOG | |
공급 장치 패키지 | WOG | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | B125C1000G-E4/51 | |
관련 링크 | B125C1000, B125C1000G-E4/51 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
416F37422ADT | 37.4MHz ±20ppm 수정 18pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F37422ADT.pdf | ||
SSM3J56MFV,L3F | MOSFET P-CH 20V 0.8A VESM | SSM3J56MFV,L3F.pdf | ||
TISP4180F3SL | TISP4180F3SL BOURNS SMD or Through Hole | TISP4180F3SL.pdf | ||
H4410DY | H4410DY ORIGINAL SMD-8 | H4410DY.pdf | ||
402002A000-21 | 402002A000-21 Tyco con | 402002A000-21.pdf | ||
2SC3582 | 2SC3582 NEC TO-92 | 2SC3582.pdf | ||
0536431074+ | 0536431074+ MOLEX SMD or Through Hole | 0536431074+.pdf | ||
SCO-060-35.46895MHZ | SCO-060-35.46895MHZ SUNNY SMD or Through Hole | SCO-060-35.46895MHZ.pdf | ||
LTBFV | LTBFV ORIGINAL SMD | LTBFV.pdf | ||
LS1H156M6L007 | LS1H156M6L007 SAMWH DIP | LS1H156M6L007.pdf | ||
CS8051F590 | CS8051F590 SILICON QFN | CS8051F590.pdf | ||
AES1610-C-DF-TR-GO | AES1610-C-DF-TR-GO AUTHENTE BGA | AES1610-C-DF-TR-GO.pdf |