창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-B0512M-1W | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | B0512M-1W | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | SIP | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | B0512M-1W | |
관련 링크 | B0512, B0512M-1W 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
UZE1V100MCL1GB | 10µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 1000 Hrs @ 85°C | UZE1V100MCL1GB.pdf | ||
7W-8.192MBC-T | 8.192MHz CMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 20mA Enable/Disable | 7W-8.192MBC-T.pdf | ||
MPLCH0740L1R5 | 1.5µH Unshielded Wirewound Inductor 11.1A 9 mOhm Max Nonstandard | MPLCH0740L1R5.pdf | ||
TNPW1210649RBEEN | RES SMD 649 OHM 0.1% 1/3W 1210 | TNPW1210649RBEEN.pdf | ||
P61-3000-A-A-I18-20MA-A | Pressure Sensor 3000 PSI (20684.27 kPa) Absolute Male - 1/4" (6.35mm) NPT 4 mA ~ 20 mA Cylinder | P61-3000-A-A-I18-20MA-A.pdf | ||
M471B5673EH1-CH9 (SODIMM DDR3 2GB) | M471B5673EH1-CH9 (SODIMM DDR3 2GB) Samsung SMD or Through Hole | M471B5673EH1-CH9 (SODIMM DDR3 2GB).pdf | ||
2NBS08-RF6-xxxLF | 2NBS08-RF6-xxxLF BOURNS SMD or Through Hole | 2NBS08-RF6-xxxLF.pdf | ||
HO-15B-4.000M | HO-15B-4.000M HOSONIC SMD or Through Hole | HO-15B-4.000M.pdf | ||
NRWS330M63V6.3X11F | NRWS330M63V6.3X11F NIC DIP | NRWS330M63V6.3X11F.pdf | ||
LE27C4001F-10Y1 | LE27C4001F-10Y1 SANYO DIP32 | LE27C4001F-10Y1.pdf | ||
LM393DT* | LM393DT* STM SMD or Through Hole | LM393DT*.pdf | ||
CDH40D11SMBNP-3R0MC | CDH40D11SMBNP-3R0MC SUMIDA SMD or Through Hole | CDH40D11SMBNP-3R0MC.pdf |