창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-AVRM1005C6R8NT331N | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | AVR Series Datasheet | |
종류 | 회로 보호 | |
제품군 | TVS - 배리스터, MOV | |
제조업체 | TDK Corporation | |
계열 | AVR | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
배리스터 전압 | 4.76V | |
배리스터 전압(통상) | 6.8V | |
배리스터 전압(최대) | 8.84V | |
전류 - 서지 | 24A | |
회로 개수 | 1 | |
최대 AC 전압 | - | |
최대 DC 전압 | 3.5VDC | |
에너지 | 0.008J | |
패키지/케이스 | 0402(1005 미터법) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
표준 포장 | 10,000 | |
다른 이름 | 445-174352-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | AVRM1005C6R8NT331N | |
관련 링크 | AVRM1005C6, AVRM1005C6R8NT331N 데이터 시트, TDK Corporation 에이전트 유통 |
![]() | CFV-20696000AZFB | 96kHz ±30ppm 수정 12.5pF 50k옴 -20°C ~ 70°C 스루홀 원통형 캔, 레이디얼 | CFV-20696000AZFB.pdf | |
AM-24.576MAGE-T | 24.576MHz ±30ppm 수정 12pF 80옴 -40°C ~ 85°C AEC-Q200 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD | AM-24.576MAGE-T.pdf | ||
![]() | RCP0603W18R0GS2 | RES SMD 18 OHM 2% 3.9W 0603 | RCP0603W18R0GS2.pdf | |
![]() | MURS120 9E02-0701- | MURS120 9E02-0701- ON DO-214AB | MURS120 9E02-0701-.pdf | |
![]() | EPC2T32N | EPC2T32N ALTERA QFP32 | EPC2T32N.pdf | |
![]() | B313MBY | B313MBY ORIGINAL QFP64 | B313MBY.pdf | |
![]() | 6MBI150UB-120-50 | 6MBI150UB-120-50 FUJI SMD or Through Hole | 6MBI150UB-120-50.pdf | |
![]() | SE1J154M04005 | SE1J154M04005 SAMWHA SMD or Through Hole | SE1J154M04005.pdf | |
![]() | H13-539-5 | H13-539-5 ORIGINAL SMD or Through Hole | H13-539-5.pdf | |
![]() | 952903AF | 952903AF ICS SSOP | 952903AF.pdf | |
![]() | HY51181648JC-60 | HY51181648JC-60 ORIGINAL SMD or Through Hole | HY51181648JC-60.pdf |