창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-AUIRFZ34N | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | AUIRFZ34N | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 29A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 40m옴 @ 16A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 34nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 700pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 68W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | SP001521138 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | AUIRFZ34N | |
| 관련 링크 | AUIRF, AUIRFZ34N 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | CL03C4R7CA3GNNH | 4.7pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | CL03C4R7CA3GNNH.pdf | |
![]() | SMCJ150A-TP | TVS DIODE 150VWM 243VC SMC | SMCJ150A-TP.pdf | |
![]() | IPI030N10N3G | IPI030N10N3G INFINEON TO-262 | IPI030N10N3G.pdf | |
![]() | TAE2453GGEG | TAE2453GGEG infineonSIEM SOP8 | TAE2453GGEG.pdf | |
![]() | SM6T6V8CA-E3 | SM6T6V8CA-E3 VISHAY DO-214AA | SM6T6V8CA-E3.pdf | |
![]() | BAP52-02V | BAP52-02V NXP SOD523 | BAP52-02V.pdf | |
![]() | MP0003 | MP0003 MPUISE SMD or Through Hole | MP0003.pdf | |
![]() | M58BW016DB70T3 | M58BW016DB70T3 ST SMD or Through Hole | M58BW016DB70T3.pdf | |
![]() | N4021-X003-80 | N4021-X003-80 VAC SMD or Through Hole | N4021-X003-80.pdf | |
![]() | LTP-587G-J | LTP-587G-J LITEON ROHS | LTP-587G-J.pdf | |
![]() | 875C17780 | 875C17780 AMIS SOP28 | 875C17780.pdf | |
![]() | ST72F321AR9TAE | ST72F321AR9TAE STM QFP | ST72F321AR9TAE.pdf |