창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-APTM50DSKM65T3G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | APTM50DSKM65T3G Power Products Catalog | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 51A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 78m옴 @ 25.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 2.5mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 140nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7000pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 390W | |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | SP3 | |
공급 장치 패키지 | SP3 | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | APTM50DSKM65T3G | |
관련 링크 | APTM50DSK, APTM50DSKM65T3G 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | B32562J6683J | 0.068µF Film Capacitor 200V 400V Polyester, Polyethylene Terephthalate (PET), Metallized - Stacked 2-DIP | B32562J6683J.pdf | |
![]() | CRCW080556R0FKEA | RES SMD 56 OHM 1% 1/8W 0805 | CRCW080556R0FKEA.pdf | |
![]() | F3SJ-A0260P25 | F3SJ-A0260P25 | F3SJ-A0260P25.pdf | |
![]() | P51-100-G-G-P-20MA-000-000 | Pressure Sensor 100 PSI (689.48 kPa) Vented Gauge Male - 1/8" (3.18mm) NPT 4 mA ~ 20 mA Cylinder | P51-100-G-G-P-20MA-000-000.pdf | |
![]() | MB3771PF-G-BND-JN- | MB3771PF-G-BND-JN- FUJI SOP | MB3771PF-G-BND-JN-.pdf | |
![]() | HM62H256AK-12NB | HM62H256AK-12NB HM SMD or Through Hole | HM62H256AK-12NB.pdf | |
![]() | TRB540B | TRB540B ORIGINAL 1kreel | TRB540B.pdf | |
![]() | ADC0808S125HW | ADC0808S125HW NXP 48-TQFP | ADC0808S125HW.pdf | |
![]() | ECST451VSN151MP35S | ECST451VSN151MP35S (NCC) SMD or Through Hole | ECST451VSN151MP35S.pdf | |
![]() | G3S-201PL | G3S-201PL OMRON SMD or Through Hole | G3S-201PL.pdf | |
![]() | TG2400AFEL | TG2400AFEL TOSHIBA SMD or Through Hole | TG2400AFEL.pdf | |
![]() | IMS1421S45 | IMS1421S45 INMDS CDIP | IMS1421S45.pdf |