창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-APTM50AM19FG | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | APTM50AM19FG Power Products Catalog | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N 채널(하프브리지) | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 163A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 22.5m옴 @ 81.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 10mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 492nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 22400pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 1136W | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | SP6 | |
| 공급 장치 패키지 | SP6 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | APTM50AM19FG | |
| 관련 링크 | APTM50A, APTM50AM19FG 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | GRM2195C2A1R8CD01D | 1.8pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | GRM2195C2A1R8CD01D.pdf | |
![]() | SI4056DY-T1-GE3 | MOSFET N-CH 100V 11.1A 8SOIC | SI4056DY-T1-GE3.pdf | |
![]() | WW3JB1K60 | RES 1.6K OHM 3W 5% AXIAL | WW3JB1K60.pdf | |
![]() | MS46LR-20-610-Q1-10X-10R-NC-AP | SYSTEM | MS46LR-20-610-Q1-10X-10R-NC-AP.pdf | |
![]() | 27C020L-120DMB | 27C020L-120DMB WSI DIP | 27C020L-120DMB.pdf | |
![]() | NJM2076M-TE2 | NJM2076M-TE2 JRC SOP | NJM2076M-TE2.pdf | |
![]() | MF-R250-005 | MF-R250-005 BOURNS DIP | MF-R250-005.pdf | |
![]() | DS1747AB-120 | DS1747AB-120 DALLAS DIP | DS1747AB-120.pdf | |
![]() | KHB9D5N20F,KHB9N0N50F1,KHB9D5N20F-U/P | KHB9D5N20F,KHB9N0N50F1,KHB9D5N20F-U/P KEC SMD or Through Hole | KHB9D5N20F,KHB9N0N50F1,KHB9D5N20F-U/P.pdf | |
![]() | P200PH10FK0 | P200PH10FK0 WESTCODE SMD or Through Hole | P200PH10FK0.pdf | |
![]() | LA-601XB/XL | LA-601XB/XL ROHM SMD or Through Hole | LA-601XB/XL.pdf |