창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-APTM100U13SG | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | APTM100U13S | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 판매 중단 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1000V(1kV) | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 65A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 145m옴 @ 32.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 10mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 2000nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 31600pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 1250W | |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | J3 모듈 | |
공급 장치 패키지 | 모듈 | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | APTM100U13SG | |
관련 링크 | APTM100, APTM100U13SG 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | BZX384B4V3-E3-18 | DIODE ZENER 4.3V 200MW SOD323 | BZX384B4V3-E3-18.pdf | |
![]() | 3EZ27D10/TR8 | DIODE ZENER 27V 3W DO204AL | 3EZ27D10/TR8.pdf | |
TJT1501R0J | RES CHAS MNT 1 OHM 5% 150W | TJT1501R0J.pdf | ||
![]() | M287010200 | M287010200 INT PLCC | M287010200.pdf | |
![]() | UGXZ2-509A | UGXZ2-509A ALPS BGA | UGXZ2-509A.pdf | |
![]() | B7071A1ND3G50 | B7071A1ND3G50 AMPHENOL SMD or Through Hole | B7071A1ND3G50.pdf | |
![]() | LD80862 | LD80862 INTEL DIP | LD80862.pdf | |
![]() | LT236CI5 | LT236CI5 LT SOP8 | LT236CI5.pdf | |
![]() | M82C37AFP5 | M82C37AFP5 MITSUBIS SMD or Through Hole | M82C37AFP5.pdf | |
![]() | EXBS8V105JV | EXBS8V105JV PANASONIC SMD | EXBS8V105JV.pdf | |
![]() | 3R477XML | 3R477XML ORIGINAL SMD or Through Hole | 3R477XML.pdf | |
![]() | PEB4565TSV151 | PEB4565TSV151 Infineon SMD36 | PEB4565TSV151.pdf |