창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-336CKE160M | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | 336CKE160M | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | DIP | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | 336CKE160M | |
| 관련 링크 | 336CKE, 336CKE160M 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
| PLF1E560MDO2TD | 56µF 25V Aluminum - Polymer Capacitors Radial, Can 28 mOhm 2000 Hrs @ 105°C | PLF1E560MDO2TD.pdf | ||
![]() | GCM1885C1H6R3DA16D | 6.3pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | GCM1885C1H6R3DA16D.pdf | |
![]() | SR122A120GAA | 12pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.150" L x 0.150" W(3.81mm x 3.81mm) | SR122A120GAA.pdf | |
![]() | IPP65R660CFDXKSA1 | MOSFET N-CH 650V 6A TO220 | IPP65R660CFDXKSA1.pdf | |
![]() | DS9097D | DS9097D DALLAS SMD or Through Hole | DS9097D.pdf | |
![]() | XC2C128-7VQ100C7010 | XC2C128-7VQ100C7010 XILINX QFP | XC2C128-7VQ100C7010.pdf | |
![]() | M10-5-472/223J | M10-5-472/223J ORIGINAL SMD or Through Hole | M10-5-472/223J.pdf | |
![]() | 8954AC40Q | 8954AC40Q SYNCMOS SMD or Through Hole | 8954AC40Q.pdf | |
![]() | TL2252IDR* | TL2252IDR* TI SOP | TL2252IDR*.pdf | |
![]() | TDA9381PS/N2/3/0458 | TDA9381PS/N2/3/0458 PHI DIP64 | TDA9381PS/N2/3/0458.pdf | |
![]() | MAX560BCPD | MAX560BCPD MAXIM DIP-14 | MAX560BCPD.pdf | |
![]() | KFG1G16Q2M-DEB0 | KFG1G16Q2M-DEB0 SAMSUNG BGA | KFG1G16Q2M-DEB0.pdf |