창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-APTC60DAM24T1G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | APTC60DAM24T1G Power Products Catalog | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 95A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 24m옴 @ 47.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.9V @ 5mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 300nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 14400pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 462W | |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | SP1 | |
공급 장치 패키지 | SP1 | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | APTC60DAM24T1G | |
관련 링크 | APTC60DA, APTC60DAM24T1G 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
7MBR10NE120/7MBR10NF120 | 7MBR10NE120/7MBR10NF120 FUJI Module | 7MBR10NE120/7MBR10NF120.pdf | ||
ICS9159C-2CW28 | ICS9159C-2CW28 ORIGINAL SOP-28 | ICS9159C-2CW28.pdf | ||
CGA4C2C0G1H562J | CGA4C2C0G1H562J TDK SMD | CGA4C2C0G1H562J.pdf | ||
HIR-5850A | HIR-5850A ZYGD TOP5-DIP2 | HIR-5850A.pdf | ||
CD43-56UH | CD43-56UH ORIGINAL SMD or Through Hole | CD43-56UH.pdf | ||
LCN0402T-6N2G-S | LCN0402T-6N2G-S ORIGINAL SMD or Through Hole | LCN0402T-6N2G-S.pdf | ||
BSM200GB120DN2 | BSM200GB120DN2 EUPEC SMD or Through Hole | BSM200GB120DN2.pdf | ||
51103-1400 | 51103-1400 MOLEX SMD or Through Hole | 51103-1400.pdf | ||
JTX2N2432 | JTX2N2432 ORIGINAL CAN3 | JTX2N2432.pdf | ||
M30803SFP-BL | M30803SFP-BL ORIGINAL SMD or Through Hole | M30803SFP-BL.pdf | ||
CY8CTMG200-16LGXI | CY8CTMG200-16LGXI CYPRESS SMD or Through Hole | CY8CTMG200-16LGXI.pdf |