창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-APT58F50J | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | APT58F50J | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | POWER MOS 8™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 58A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 65m옴 @ 42A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 2.5mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 340nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 13500pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 540W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | SOT-227-4, miniBLOC | |
| 공급 장치 패키지 | ISOTOP® | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | APT58F50J | |
| 관련 링크 | APT58, APT58F50J 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | GRM1555C2A7R2DA01D | 7.2pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GRM1555C2A7R2DA01D.pdf | |
![]() | VJ0805D430JLCAC | 43pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D430JLCAC.pdf | |
![]() | T7YB223MB40 | 22k Ohm 0.5W, 1/2W PC Pins Through Hole Trimmer Potentiometer Cermet 1 Turn Top Adjustment | T7YB223MB40.pdf | |
![]() | RC1206DR-0710RL | RES SMD 10 OHM 0.5% 1/4W 1206 | RC1206DR-0710RL.pdf | |
![]() | CRGS0805J2R2 | RES SMD 2.2 OHM 5% 1/2W 0805 | CRGS0805J2R2.pdf | |
![]() | RT1210CRE0730R9L | RES SMD 30.9 OHM 0.25% 1/4W 1210 | RT1210CRE0730R9L.pdf | |
![]() | AD505-02E | SENSOR MAG SW 40G STANDARD 8SOIC | AD505-02E.pdf | |
![]() | C2012J0J106MT | C2012J0J106MT ORIGINAL SMD or Through Hole | C2012J0J106MT.pdf | |
![]() | TCB-3080B | TCB-3080B SHRDQ/ SMD or Through Hole | TCB-3080B.pdf | |
![]() | SA434BK | SA434BK SAWNICS 5.0x5.0 | SA434BK.pdf | |
![]() | LEUW-S2LN-NYPX-5E8G | LEUW-S2LN-NYPX-5E8G OSRAM SMD or Through Hole | LEUW-S2LN-NYPX-5E8G.pdf |