창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-APT28M120B2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | APT28M120(B2,L) Power Products Catalog | |
| 카탈로그 페이지 | 1629 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | POWER MOS 8™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1200V(1.2kV) | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 29A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 560m옴 @ 14A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 2.5mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 300nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 9670pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 1135W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 변형 | |
| 공급 장치 패키지 | T-MAX™ [B2] | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | APT28M120B2MI APT28M120B2MI-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | APT28M120B2 | |
| 관련 링크 | APT28M, APT28M120B2 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | GL05T-HE3-08 | TVS DIODE 5VWM 11VC SOT23 | GL05T-HE3-08.pdf | |
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![]() | RMCF1210JT180R | RES SMD 180 OHM 5% 1/2W 1210 | RMCF1210JT180R.pdf | |
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![]() | ICE2QR0665(2QR0665) | ICE2QR0665(2QR0665) INFINEON DIP8 | ICE2QR0665(2QR0665).pdf | |
![]() | SP02C6 | SP02C6 ST SOP | SP02C6.pdf | |
![]() | MAX5003CEE | MAX5003CEE MAXIM SMD or Through Hole | MAX5003CEE.pdf | |
![]() | LM2676SDX-3.3 | LM2676SDX-3.3 NS LLP14 | LM2676SDX-3.3.pdf | |
![]() | PU4304 | PU4304 PANASONI SIP | PU4304.pdf | |
![]() | 105Y5V104Z25AT(5ECQJ | 105Y5V104Z25AT(5ECQJ KYOCERA SMD or Through Hole | 105Y5V104Z25AT(5ECQJ.pdf | |
![]() | BCM63168SH01 | BCM63168SH01 BROADCOM SMD or Through Hole | BCM63168SH01.pdf |