창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-APT20M45BVRG | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | APT20M45BVR Power Products Catalog | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | POWER MOS V® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 56A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 45m옴 @ 500mA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 195nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4860pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 300W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247 [B] | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | APT20M45BVRG | |
관련 링크 | APT20M4, APT20M45BVRG 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
LQP02TQ6N8J02D | 6.8nH Unshielded Thick Film Inductor 210mA 1.4 Ohm Max 01005 (0402 Metric) | LQP02TQ6N8J02D.pdf | ||
SR0805JR-0782KL | RES SMD 82K OHM 5% 1/8W 0805 | SR0805JR-0782KL.pdf | ||
IL-WX-32SB-VF-B-E | IL-WX-32SB-VF-B-E JAE SMT | IL-WX-32SB-VF-B-E.pdf | ||
NBB-400 TEL:82766440 | NBB-400 TEL:82766440 RFMD MICRO-X | NBB-400 TEL:82766440.pdf | ||
SMART-FAM-3 | SMART-FAM-3 ST SMD | SMART-FAM-3.pdf | ||
CY7C109A-20P | CY7C109A-20P CYPRESS PDIPMIL400 | CY7C109A-20P.pdf | ||
SB50113R3ML | SB50113R3ML ABC SMD or Through Hole | SB50113R3ML.pdf | ||
BZX384C12D5 | BZX384C12D5 GENERALSEMI SMD or Through Hole | BZX384C12D5.pdf | ||
RC4136D | RC4136D RAYTHEON DIP | RC4136D.pdf | ||
5-146259-8 | 5-146259-8 ORIGINAL SMD or Through Hole | 5-146259-8.pdf | ||
ATMEGA8L-8UP | ATMEGA8L-8UP ORIGINAL SMD or Through Hole | ATMEGA8L-8UP.pdf | ||
VI-JM-MY | VI-JM-MY Vicor SMD or Through Hole | VI-JM-MY.pdf |