창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-APT10M11JVRU3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | APT10M11JVRU3 Power Products Catalog | |
| 카탈로그 페이지 | 1629 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 142A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 11m옴 @ 71A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 2.5mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 300nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 8600pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 450W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | SOT-227-4, miniBLOC | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-227 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | APT10M11JVRU3MI APT10M11JVRU3MI-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | APT10M11JVRU3 | |
| 관련 링크 | APT10M1, APT10M11JVRU3 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | C0603C682K2RACTU | 6800pF 200V 세라믹 커패시터 X7R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | C0603C682K2RACTU.pdf | |
![]() | SH150S-2.70-77 | 77µH Unshielded Toroidal Inductor 2.7A 90 mOhm Nonstandard | SH150S-2.70-77.pdf | |
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![]() | BLM31PG330SN1K | BLM31PG330SN1K MURATA 1206 | BLM31PG330SN1K.pdf | |
![]() | TLP172A-TPR | TLP172A-TPR TOSHIBA SOP4 | TLP172A-TPR.pdf | |
![]() | AD618R | AD618R AD SMD | AD618R.pdf | |
![]() | 1208857 | 1208857 Farnel SMD or Through Hole | 1208857.pdf | |
![]() | GW22LBH-RO | GW22LBH-RO NKKSwitches SMD or Through Hole | GW22LBH-RO.pdf | |
![]() | DG301AAAK/883 | DG301AAAK/883 DG DIP-14 | DG301AAAK/883.pdf |