창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-APT10M11JVRU3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | APT10M11JVRU3 Power Products Catalog | |
| 카탈로그 페이지 | 1629 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 142A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 11m옴 @ 71A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 2.5mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 300nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 8600pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 450W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | SOT-227-4, miniBLOC | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-227 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | APT10M11JVRU3MI APT10M11JVRU3MI-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | APT10M11JVRU3 | |
| 관련 링크 | APT10M1, APT10M11JVRU3 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | CRGV0805F261K | RES SMD 261K OHM 1% 1/8W 0805 | CRGV0805F261K.pdf | |
![]() | CCU2070-FDTV-08 | CCU2070-FDTV-08 ITT DIP | CCU2070-FDTV-08.pdf | |
![]() | UPD65622GF273 | UPD65622GF273 NEC QFP | UPD65622GF273.pdf | |
![]() | SMP1320-991LF | SMP1320-991LF ALPHA SOD-323 | SMP1320-991LF.pdf | |
![]() | 09011-L-033-3 | 09011-L-033-3 TaitienElectronicsCoLtd SMD or Through Hole | 09011-L-033-3.pdf | |
![]() | EEUEB1A471SB | EEUEB1A471SB PANASONIC SMD or Through Hole | EEUEB1A471SB.pdf | |
![]() | SDH70N40P | SDH70N40P SW DO-5 | SDH70N40P.pdf | |
![]() | ATF1047S09R | ATF1047S09R ASG Module | ATF1047S09R.pdf | |
![]() | PEF5508EV1.2 | PEF5508EV1.2 inf BGA | PEF5508EV1.2.pdf | |
![]() | 3188GF472T350APA1 | 3188GF472T350APA1 CDE DIP | 3188GF472T350APA1.pdf | |
![]() | M37272M6-205SP | M37272M6-205SP MIT DIP | M37272M6-205SP.pdf |