창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-ADS8326IDGKR | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | ADS8326IDGKR | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | MSOP8 | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | ADS8326IDGKR | |
관련 링크 | ADS8326, ADS8326IDGKR 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
T6W10NR-F | 10µF Film Capacitor 600V Paper, Metallized Radial, Can 2.910" L x 1.910" W (73.91mm x 48.51mm) | T6W10NR-F.pdf | ||
TR3D227M6R3C0050 | 220µF Molded Tantalum Capacitors 6.3V 2917 (7343 Metric) 50 mOhm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | TR3D227M6R3C0050.pdf | ||
ABM2-8.000MHZ-D4Y-T | 8MHz ±30ppm 수정 18pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | ABM2-8.000MHZ-D4Y-T.pdf | ||
ECS-160-20-4DN | 16MHz ±30ppm 수정 20pF 40옴 -40°C ~ 85°C 스루홀 HC49/US | ECS-160-20-4DN.pdf | ||
416F3701XCKT | 37MHz ±10ppm 수정 8pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F3701XCKT.pdf | ||
RG3216V-1430-P-T1 | RES SMD 143 OHM 0.02% 1/4W 1206 | RG3216V-1430-P-T1.pdf | ||
B553 | B553 Toshiba TO-220 | B553.pdf | ||
JANTX5911 | JANTX5911 ORIGINAL CAN | JANTX5911.pdf | ||
UPD78P058FGC8BT | UPD78P058FGC8BT NEC QFP80 | UPD78P058FGC8BT.pdf | ||
ICM7555CD01112 | ICM7555CD01112 NXP SMD or Through Hole | ICM7555CD01112.pdf | ||
1.27mm2.54 | 1.27mm2.54 ORIGINAL SMD or Through Hole | 1.27mm2.54.pdf |