창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-ADM1026JSTZ-RE | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | ADM1026JSTZ-RE | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | HK11 | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | ADM1026JSTZ-RE | |
관련 링크 | ADM1026J, ADM1026JSTZ-RE 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
ABM7-13.560MHZ-D2Y-T | 13.56MHz ±20ppm 수정 18pF 60옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD, 무연(DFN, LCC) | ABM7-13.560MHZ-D2Y-T.pdf | ||
SIT8008ACB8-XXS | 1MHz ~ 110MHz HCMOS, LVCMOS MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V 4.5mA Standby | SIT8008ACB8-XXS.pdf | ||
CMF5591R000FERE | RES 91 OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF5591R000FERE.pdf | ||
CMF5556R200BER6 | RES 56.2 OHM 1/2W .1% AXIAL | CMF5556R200BER6.pdf | ||
H1AA938 | H1AA938 N/A QFN | H1AA938.pdf | ||
ONET8501PBR | ONET8501PBR TI SMD or Through Hole | ONET8501PBR.pdf | ||
D4F60/5063 | D4F60/5063 ORIGINAL SMD or Through Hole | D4F60/5063.pdf | ||
HD38800B30 | HD38800B30 HITACHI DIP | HD38800B30.pdf | ||
MNR35J5SJ472J | MNR35J5SJ472J ROHM SMD or Through Hole | MNR35J5SJ472J.pdf | ||
UN2222CN | UN2222CN ORIGINAL CDIP | UN2222CN.pdf | ||
TLA-6T212LF | TLA-6T212LF TDK SMD or Through Hole | TLA-6T212LF.pdf | ||
IS65WV1288BLL-55HLA3 | IS65WV1288BLL-55HLA3 ISSI STSOP32 | IS65WV1288BLL-55HLA3.pdf |