창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-A1394B/3SYG/S530-E2 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | A1394B/3SYG/S530-E2 | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | SMD or Through Hole | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | A1394B/3SYG/S530-E2 | |
관련 링크 | A1394B/3SYG, A1394B/3SYG/S530-E2 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
![]() | GRM188R71E122KA01D | 1200pF 25V 세라믹 커패시터 X7R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | GRM188R71E122KA01D.pdf | |
![]() | SLF7030T-680MR49-PF | 68µH Shielded Wirewound Inductor 490mA 310 mOhm Nonstandard | SLF7030T-680MR49-PF.pdf | |
![]() | RG3216V-2702-B-T5 | RES SMD 27K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RG3216V-2702-B-T5.pdf | |
![]() | S-8520F18MC-BNDT2G | S-8520F18MC-BNDT2G SII SOT23-5 | S-8520F18MC-BNDT2G.pdf | |
![]() | SU5-12S05-B | SU5-12S05-B SUCCEED DIP | SU5-12S05-B.pdf | |
![]() | IRF510A-TSTU | IRF510A-TSTU SAMSUNG FET | IRF510A-TSTU.pdf | |
![]() | XC6209B312DR-G | XC6209B312DR-G TOREX QFN | XC6209B312DR-G.pdf | |
![]() | 1175AM70C20 | 1175AM70C20 FAI SOP | 1175AM70C20.pdf | |
![]() | APM4546KC | APM4546KC ANPEC SMD or Through Hole | APM4546KC.pdf | |
![]() | AM29705DMB | AM29705DMB AMD CDIP28 | AM29705DMB.pdf | |
![]() | TMP47C443N-3JR1 | TMP47C443N-3JR1 TOSHIBA DIP | TMP47C443N-3JR1.pdf |