창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-9401520000 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | ||
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | DK 4/35 U 130V MOV S | |
| 종류 | 회로 보호 | |
| 제품군 | TVS - 배리스터, MOV | |
| 제조업체 | Weidmuller | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 배리스터 전압 | - | |
| 배리스터 전압(통상) | 22V | |
| 배리스터 전압(최대) | - | |
| 전류 - 서지 | 2kA | |
| 회로 개수 | 2 | |
| 최대 AC 전압 | 14VAC | |
| 최대 DC 전압 | 18VDC | |
| 에너지 | 4.0J | |
| 패키지/케이스 | 섀시 실장 | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 9401520000 | |
| 관련 링크 | 940152, 9401520000 데이터 시트, Weidmuller 에이전트 유통 | |
![]() | B43501D5107M67 | 100µF 450V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 1.33 Ohm @ 100Hz 10000 Hrs @ 85°C | B43501D5107M67.pdf | |
![]() | CD214A-R12000 | DIODE GEN PURP 2KV 1A SMA | CD214A-R12000.pdf | |
![]() | H5M5V5636GP-16I | H5M5V5636GP-16I N/A QFP | H5M5V5636GP-16I.pdf | |
![]() | S-11L10B12-M5T1U | S-11L10B12-M5T1U SEIKO SOT23-5 | S-11L10B12-M5T1U.pdf | |
![]() | D23C8000BCZ | D23C8000BCZ NEC DIP | D23C8000BCZ.pdf | |
![]() | APT2X21DC60J/APT2X21DC120J | APT2X21DC60J/APT2X21DC120J Microsemi/APT SOT-227 | APT2X21DC60J/APT2X21DC120J.pdf | |
![]() | 2014A-W | 2014A-W ORIGINAL SMD or Through Hole | 2014A-W.pdf | |
![]() | MM5Z3V6S | MM5Z3V6S CJ/BL SOD-523 | MM5Z3V6S.pdf | |
![]() | XC3S250E-5TQ144C | XC3S250E-5TQ144C XILINX SMD or Through Hole | XC3S250E-5TQ144C.pdf | |
![]() | M-N3010SV3BF-DB | M-N3010SV3BF-DB ORIGINAL BGA | M-N3010SV3BF-DB.pdf | |
![]() | 4N35500E | 4N35500E avago 1000trsmd | 4N35500E.pdf | |
![]() | NL10276AC24-02E | NL10276AC24-02E NEC SMD or Through Hole | NL10276AC24-02E.pdf |