창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-863-Y | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | 863-Y | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | TO-92LM | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | 863-Y | |
| 관련 링크 | 863, 863-Y 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | AIMC-0201-18NJ-T | 18nH Unshielded Multilayer Inductor 100mA 1.3 Ohm Max 0201 (0603 Metric) | AIMC-0201-18NJ-T.pdf | |
![]() | CRCW060310R0FKEAHP | RES SMD 10 OHM 1% 1/4W 0603 | CRCW060310R0FKEAHP.pdf | |
![]() | 200SF1CT203 | 200SF1CT203 HONEYWELL SMD or Through Hole | 200SF1CT203.pdf | |
![]() | P89V51RD2BN,112 | P89V51RD2BN,112 NXP DIP40 | P89V51RD2BN,112.pdf | |
![]() | LP3987-2.8 | LP3987-2.8 POWER SOT23-5 | LP3987-2.8.pdf | |
![]() | TNPW08051912BT9T/R | TNPW08051912BT9T/R VIS RES | TNPW08051912BT9T/R.pdf | |
![]() | M418165CJ | M418165CJ MIT SOJ | M418165CJ.pdf | |
![]() | CL10U100JBNC | CL10U100JBNC SAMSUNG SMD | CL10U100JBNC.pdf | |
![]() | CMTDDR150X1753G | CMTDDR150X1753G ORIGINAL SMD or Through Hole | CMTDDR150X1753G.pdf | |
![]() | LT1983ES6-3 | LT1983ES6-3 LTINEAR SOT23 | LT1983ES6-3.pdf | |
![]() | MAX8730ETI+ | MAX8730ETI+ MAXIM QFN | MAX8730ETI+.pdf | |
![]() | BC358239BU | BC358239BU ORIGINAL BGA | BC358239BU.pdf |