창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MSKD36-12 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MSK,MSA,MSC_D36 | |
| 카탈로그 페이지 | 1627 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 표준 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 1200V(1.2kV) | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 36A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.25V @ 100A | |
| 속도 | 표준 회복 >500ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5mA @ 1200V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | D1 | |
| 공급 장치 패키지 | D1 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MSKD36-12 | |
| 관련 링크 | MSKD3, MSKD36-12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | S1210-563F | 56µH Shielded Inductor 160mA 6.3 Ohm Max 1210 (3225 Metric) | S1210-563F.pdf | |
![]() | RG3216N-1782-W-T1 | RES SMD 17.8KOHM 0.05% 1/4W 1206 | RG3216N-1782-W-T1.pdf | |
![]() | Y162511K5300T0R | RES SMD 11.53K OHM 0.3W 1206 | Y162511K5300T0R.pdf | |
![]() | PR01000101000JR500 | RES 100 OHM 1W 5% AXIAL | PR01000101000JR500.pdf | |
![]() | MPC866PZP133 | MPC866PZP133 MOT BGA | MPC866PZP133.pdf | |
![]() | UCC27423 | UCC27423 TI SOP8 | UCC27423.pdf | |
![]() | FA7630CP | FA7630CP FAIRCHI DIP | FA7630CP.pdf | |
![]() | MX636KN | MX636KN MAXIM DIP | MX636KN.pdf | |
![]() | LP2951CN-3.0G | LP2951CN-3.0G ON SMD or Through Hole | LP2951CN-3.0G.pdf | |
![]() | Z8536PSCIO | Z8536PSCIO ORIGINAL DIP40 | Z8536PSCIO.pdf | |
![]() | HF16 | HF16 ORIGINAL QFN-3 | HF16.pdf | |
![]() | GP60BVH3A2H-B | GP60BVH3A2H-B ORIGINAL SMD or Through Hole | GP60BVH3A2H-B.pdf |