창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-550AE100M000DG | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | Si550 | |
종류 | 수정 및 발진기 | |
제품군 | 발진기 | |
제조업체 | Silicon Labs | |
계열 | Si550 | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
유형 | VCXO | |
주파수 | 100MHz | |
기능 | 활성화/비활성화 | |
출력 | LVPECL | |
전압 - 공급 | 3.3V | |
주파수 안정도 | ±20ppm | |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
전류 - 공급(최대) | 130mA | |
등급 | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
크기/치수 | 0.276" L x 0.197" W(7.00mm x 5.00mm) | |
높이 | 0.071"(1.80mm) | |
패키지/케이스 | 6-SMD, 무연(DFN, LCC) | |
전류 - 공급(비활성화)(최대) | 75mA | |
표준 포장 | 25 | |
다른 이름 | Q9608496A | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 550AE100M000DG | |
관련 링크 | 550AE100, 550AE100M000DG 데이터 시트, Silicon Labs 에이전트 유통 |
![]() | VLF12060T-221M1R3 | 220µH Shielded Wirewound Inductor 1.3A 352 mOhm Max Nonstandard | VLF12060T-221M1R3.pdf | |
![]() | AC0603JR-073K9L | RES SMD 3.9K OHM 5% 1/10W 0603 | AC0603JR-073K9L.pdf | |
![]() | RCP2512B12R0GEC | RES SMD 12 OHM 2% 22W 2512 | RCP2512B12R0GEC.pdf | |
![]() | CW0101R470JE73 | RES 1.47 OHM 13W 5% AXIAL | CW0101R470JE73.pdf | |
![]() | 1.5KE62ARL4 | 1.5KE62ARL4 ONSEMICONDUCTOR NA | 1.5KE62ARL4.pdf | |
![]() | TISP4395H3BJ | TISP4395H3BJ ORIGINAL SMD or Through Hole | TISP4395H3BJ.pdf | |
![]() | 93LC46CT-I/MC | 93LC46CT-I/MC MIC DFN(2x3)8-TRPb-F | 93LC46CT-I/MC.pdf | |
![]() | V30MLA1210N | V30MLA1210N LITTEIFUS SMD | V30MLA1210N.pdf | |
![]() | BFY44 | BFY44 KRC SMD or Through Hole | BFY44.pdf | |
![]() | BZX79-C20.133 | BZX79-C20.133 NXP/PH SMD or Through Hole | BZX79-C20.133.pdf | |
![]() | PM200DV1A120#300G | PM200DV1A120#300G ORIGINAL SMD or Through Hole | PM200DV1A120#300G.pdf | |
![]() | DZ-2R5D704 | DZ-2R5D704 ELNA DIP | DZ-2R5D704.pdf |