창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-416F30012ATR | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 416 Series Datasheet | |
종류 | 수정 및 발진기 | |
제품군 | 수정 | |
제조업체 | CTS-Frequency Controls | |
계열 | 416 | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
유형 | MHz 수정 | |
주파수 | 30MHz | |
주파수 안정도 | ±20ppm | |
주파수 허용 오차 | ±10ppm | |
부하 정전 용량 | 6pF | |
등가 직렬 저항(ESR) | 200옴 | |
작동 모드 | 기본 | |
작동 온도 | -10°C ~ 60°C | |
등급 | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | |
크기/치수 | 0.063" L x 0.047" W(1.60mm x 1.20mm) | |
높이 | 0.018"(0.45mm) | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 416F30012ATR | |
관련 링크 | 416F300, 416F30012ATR 데이터 시트, Tusonix a Subsidiary of CTS Electronic Components 에이전트 유통 |
![]() | DMP31D0UFB4-7B | MOSFET P-CH 30V 540MA 3DFN | DMP31D0UFB4-7B.pdf | |
![]() | DS1E-S-DC5V-TB | General Purpose Relay SPDT (1 Form C) Through Hole | DS1E-S-DC5V-TB.pdf | |
![]() | TL3304AF260QJ | TL3304AF260QJ E-Switch SMD or Through Hole | TL3304AF260QJ.pdf | |
![]() | LM2672M-5.0 ADJ | LM2672M-5.0 ADJ NSC SOP-8P | LM2672M-5.0 ADJ.pdf | |
![]() | BLD112DL | BLD112DL SI TO-92 | BLD112DL.pdf | |
![]() | UF1600CT,UF1601CT,UF1604CT | UF1600CT,UF1601CT,UF1604CT PANJIT SMD or Through Hole | UF1600CT,UF1601CT,UF1604CT.pdf | |
![]() | IFR6000T00B01 | IFR6000T00B01 Samsung SMD or Through Hole | IFR6000T00B01.pdf | |
![]() | AHC1G02HDCKR | AHC1G02HDCKR TEXAS/TI/ SOT-353 | AHC1G02HDCKR.pdf | |
![]() | 50V335K | 50V335K ORIGINAL SMD or Through Hole | 50V335K.pdf | |
![]() | HCD 667A66 RBP | HCD 667A66 RBP ORIGINAL SMD or Through Hole | HCD 667A66 RBP.pdf | |
![]() | VA200005D150RL | VA200005D150RL AVX//docs-europeelectrocomponentscom/w SMD or Through Hole | VA200005D150RL.pdf | |
![]() | MC7912CT-BP | MC7912CT-BP ON SMD or Through Hole | MC7912CT-BP.pdf |