창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-3EZ9.1D2/TR8 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 3EZ3.9D5-3EZ200D5,e3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 9.1V | |
| 허용 오차 | ±2% | |
| 전력 - 최대 | 3W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 2.5옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 3µA @ 7V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 1,500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 3EZ9.1D2/TR8 | |
| 관련 링크 | 3EZ9.1D, 3EZ9.1D2/TR8 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0603D4R3CXCAC | 4.3pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D4R3CXCAC.pdf | |
![]() | 023001.5HXP | FUSE GLASS 1.5A 250VAC 125VDC | 023001.5HXP.pdf | |
![]() | TZX16C-TAP | DIODE ZENER 16V 500MW DO35 | TZX16C-TAP.pdf | |
![]() | PA4303.183NLT | 18µH Shielded Wirewound Inductor 2.9A 65 mOhm Max Nonstandard | PA4303.183NLT.pdf | |
![]() | IMC0402ER2N7C01 | 2.7nH Unshielded Wirewound Inductor 640mA 120 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | IMC0402ER2N7C01.pdf | |
![]() | 1945R-26J | 300µH Unshielded Molded Inductor 145mA 8.6 Ohm Axial | 1945R-26J.pdf | |
![]() | CX-493-C05-Y | SENSOR PHOTO 5M 12-24VDC NPN | CX-493-C05-Y.pdf | |
![]() | 140-A-111/04 | 140-A-111/04 WECO 140-A-111Series4P | 140-A-111/04.pdf | |
![]() | FW82806AA(SL3T5) | FW82806AA(SL3T5) INTEL SMD or Through Hole | FW82806AA(SL3T5).pdf | |
![]() | TF312S-J | TF312S-J SAK TO-22O | TF312S-J.pdf |