창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-3EZ56D10/TR8 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 3EZ3.9D5-3EZ200D5,e3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 56V | |
| 허용 오차 | ±10% | |
| 전력 - 최대 | 3W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 50옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 42.6V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 1,500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 3EZ56D10/TR8 | |
| 관련 링크 | 3EZ56D1, 3EZ56D10/TR8 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
|  | CL21C222JBC1PNC | 2200pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | CL21C222JBC1PNC.pdf | |
| .jpg) | B82422A3331K100 | 330nH Unshielded Wirewound Inductor 200mA 1.3 Ohm Max 1210 (3225 Metric) | B82422A3331K100.pdf | |
|  | Y07893K83000T9L | RES 3.83K OHM 0.3W 0.01% RADIAL | Y07893K83000T9L.pdf | |
|  | B57871S123H | NTC Thermistor 12k Bead | B57871S123H.pdf | |
|  | N710001BFTBFAA | N710001BFTBFAA TEXAS SOP-0.39 | N710001BFTBFAA.pdf | |
|  | TB6562AFG(O,EL) | TB6562AFG(O,EL) Toshiba 30-SSOP | TB6562AFG(O,EL).pdf | |
|  | XC2VP70-5FF1517BGB | XC2VP70-5FF1517BGB XILINX BGA | XC2VP70-5FF1517BGB.pdf | |
|  | EUC-075S280ST | EUC-075S280ST INVENTRONICS EUCSeries75W2.8 | EUC-075S280ST.pdf | |
|  | 2200LL-471H-RC | 2200LL-471H-RC JW SMD or Through Hole | 2200LL-471H-RC.pdf | |
|  | RC-1212S | RC-1212S RECOM DIP14 | RC-1212S.pdf | |
|  | MBB0207C2740CT00 | MBB0207C2740CT00 VISHAY SMD | MBB0207C2740CT00.pdf | |
|  | LTE-1653K | LTE-1653K LITEON ROHS | LTE-1653K.pdf |