창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-3EZ33D2/TR12 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 3EZ3.9D5-3EZ200D5,e3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 33V | |
| 허용 오차 | ±2% | |
| 전력 - 최대 | 3W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 20옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 25.1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 3EZ33D2/TR12 | |
| 관련 링크 | 3EZ33D2, 3EZ33D2/TR12 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | VLS252012ET-6R8M-CA | 6.8µH Shielded Wirewound Inductor 650mA 612 mOhm Max 1008 (2520 Metric) | VLS252012ET-6R8M-CA.pdf | |
![]() | VFMA-11F41 | VFMA-11F41=VFMA | VFMA-11F41.pdf | |
![]() | PTF56200K00FYEB | RES 200K OHM 1% 10 PPM 1/8W | PTF56200K00FYEB.pdf | |
![]() | HY53C256L | HY53C256L HY 03 F | HY53C256L.pdf | |
![]() | C2525N | C2525N NEC DIP | C2525N.pdf | |
![]() | UB8519 | UB8519 Sigma SMD or Through Hole | UB8519.pdf | |
![]() | SSW13002SD | SSW13002SD UNK CONN | SSW13002SD.pdf | |
![]() | MXB-1206.33 | MXB-1206.33 ORIGINAL DIP | MXB-1206.33.pdf | |
![]() | MDC20FA | MDC20FA ORIGINAL TO-3P | MDC20FA.pdf | |
![]() | FD1000W | FD1000W ORIGINAL SMD or Through Hole | FD1000W.pdf | |
![]() | SU15-05S05-C | SU15-05S05-C SUCCEED DIP | SU15-05S05-C.pdf | |
![]() | VND14NV04-13TR | VND14NV04-13TR ORIGINAL TO-220 | VND14NV04-13TR.pdf |