창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-3EZ10D10/TR8 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 3EZ3.9D5-3EZ200D5,e3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 10V | |
허용 오차 | ±10% | |
전력 - 최대 | 3W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 3.5옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 3µA @ 7.6V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL(DO-41) | |
표준 포장 | 1,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 3EZ10D10/TR8 | |
관련 링크 | 3EZ10D1, 3EZ10D10/TR8 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | NLV25T-1R2J-EF | 1.2µH Unshielded Wirewound Inductor 230mA 1.2 Ohm Max 1008 (2520 Metric) | NLV25T-1R2J-EF.pdf | |
![]() | IDT70V658S10DR | IDT70V658S10DR IDT QFP | IDT70V658S10DR.pdf | |
![]() | KSB882 | KSB882 KEC TO-126 | KSB882.pdf | |
![]() | F2319* | F2319* Littelfuse SMD or Through Hole | F2319*.pdf | |
![]() | FQ1236/F H-5 | FQ1236/F H-5 PHI DIP | FQ1236/F H-5.pdf | |
![]() | AD827AR | AD827AR TI na | AD827AR.pdf | |
![]() | AME8818BEEV120Z | AME8818BEEV120Z AME SMD or Through Hole | AME8818BEEV120Z.pdf | |
![]() | IRFU439A | IRFU439A IR TO-251 | IRFU439A.pdf | |
![]() | KXPC860DTZP50D4 | KXPC860DTZP50D4 MOTOROLA SMD or Through Hole | KXPC860DTZP50D4.pdf | |
![]() | SBX1601B | SBX1601B SONY PGA | SBX1601B.pdf | |
![]() | LQH43MN102J04M | LQH43MN102J04M ORIGINAL SMD or Through Hole | LQH43MN102J04M.pdf | |
![]() | KBPC809 | KBPC809 SEP/MIC/TSC KBPC-8 | KBPC809.pdf |