창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-358DR2g/LM358P | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | 358DR2g/LM358P | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | dip | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | 358DR2g/LM358P | |
관련 링크 | 358DR2g/, 358DR2g/LM358P 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
![]() | GRM0335C1H8R5BA01D | 8.5pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GRM0335C1H8R5BA01D.pdf | |
![]() | ECW-FA2J334JB | 0.33µF Film Capacitor 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.717" L x 0.335" W (18.20mm x 8.50mm) | ECW-FA2J334JB.pdf | |
![]() | 7V-16.384MAAE-T | 16.384MHz ±30ppm 수정 12pF 60옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 7V-16.384MAAE-T.pdf | |
![]() | 402F250XXCDR | 25MHz ±15ppm 수정 18pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F250XXCDR.pdf | |
![]() | VP2206N3-G-P003 | MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3 | VP2206N3-G-P003.pdf | |
![]() | WT-43-330 | WT-43-330 ORIGINAL SMD | WT-43-330.pdf | |
![]() | 511R/%1 | 511R/%1 VISHAY 2010 | 511R/%1.pdf | |
![]() | 0402 4R3C 50V | 0402 4R3C 50V FH SMD or Through Hole | 0402 4R3C 50V.pdf | |
![]() | SED1330FOA | SED1330FOA EPSON QFP60 | SED1330FOA.pdf | |
![]() | PKF4910AS | PKF4910AS ERICSS DC-DC | PKF4910AS.pdf | |
![]() | IRF1302STRLPBF | IRF1302STRLPBF IR TO-263(D2PAK) | IRF1302STRLPBF.pdf | |
![]() | OD127AP-48HB | OD127AP-48HB ORIGINAL NEW | OD127AP-48HB.pdf |