홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » FET - 단일 » 2SK4177-DL-1E

ON Semiconductor 2SK4177-DL-1E

2SK4177-DL-1E
제조업체 부품 번호
2SK4177-DL-1E
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 1500V 2A DPAK
데이터 시트 다운로드
다운로드
2SK4177-DL-1E 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 2,149.80480
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 2SK4177-DL-1E 재고가 있습니다. 우리는 ON Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 ON Semiconductor 전자 부품 전문. 2SK4177-DL-1E 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. 2SK4177-DL-1E가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
2SK4177-DL-1E 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
2SK4177-DL-1E 매개 변수
내부 부품 번호EIS-2SK4177-DL-1E
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서2SK4177
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체ON Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)1500V(1.5kV)
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C2A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs13옴 @ 1A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)-
게이트 전하(Qg) @ Vgs37.5nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds380pF @ 30V
전력 - 최대80W
작동 온도150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB
공급 장치 패키지TO-263-2
표준 포장 800
다른 이름2SK4177-DL-1E-ND
2SK4177-DL-1EOSTR
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)2SK4177-DL-1E
관련 링크2SK4177, 2SK4177-DL-1E 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통
2SK4177-DL-1E 의 관련 제품
220µF Molded Tantalum - Polymer Capacitors 6.3V 2917 (7343 Metric) 25 mOhm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) T55V227M6R3C0025.pdf
OSC XO 3.3V 74.25MHZ SIT1602BC-12-33E-74.250000G.pdf
MOSFET N-CH 30V 0.115A DMN33D8LT-7.pdf
Blue 470nm LED Indication - Discrete 3.2V Radial C503B-BCN-CV0Z0461.pdf
LOW PROFILE, 4 POLE/5 AMP, LC RSE120152.pdf
ICL7663ACSA+ MAXIM SOP8 ICL7663ACSA+.pdf
08-0115-08 ORIGINAL BGA 08-0115-08.pdf
J103K300A150B CHIEFCON SMD or Through Hole J103K300A150B.pdf
MAX4266ESA MAXIM SOP8 MAX4266ESA.pdf
MDP1401-301G DALE DIP14 MDP1401-301G.pdf
DDT-SJE-T1 DOMINAT ROHS DDT-SJE-T1.pdf
RS7202-50GRNE ORISTER SOT23-5 RS7202-50GRNE.pdf