창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-2SK303100L | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 2SK3031 | |
주요제품 | Wearables Technology Components | |
카탈로그 페이지 | 1483 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Panasonic Electronic Components | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 단종 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 15A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 135m옴 @ 8A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 300pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 20W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | U-G1 | |
공급 장치 패키지 | U-G1 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 2SK303100LTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 2SK303100L | |
관련 링크 | 2SK303, 2SK303100L 데이터 시트, Panasonic Electronic Components 에이전트 유통 |
![]() | IPB120N06S402ATMA2 | MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3 | IPB120N06S402ATMA2.pdf | |
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![]() | Y1629255R000T0W | RES SMD 255 OHM 0.01% 1/10W 0805 | Y1629255R000T0W.pdf | |
![]() | ACASA100021000P100 | RES ARRAY 4 RES 100 OHM 1206 | ACASA100021000P100.pdf | |
![]() | PNP1WVJR-73-0R75 | RES 0.75 OHM 1W 5% AXIAL | PNP1WVJR-73-0R75.pdf | |
![]() | HI1-0302/883 | HI1-0302/883 HAR SMD or Through Hole | HI1-0302/883.pdf | |
![]() | KA1000015E-BJT0 | KA1000015E-BJT0 SAMSUNG BGAQFN | KA1000015E-BJT0.pdf | |
![]() | 7.3728MHZCRYSTAL | 7.3728MHZCRYSTAL ECS SMD or Through Hole | 7.3728MHZCRYSTAL.pdf | |
![]() | LCMXO256C-4T100C | LCMXO256C-4T100C LATTICE QFP | LCMXO256C-4T100C.pdf | |
![]() | BTX94-1000 | BTX94-1000 PHILIPS SMD or Through Hole | BTX94-1000.pdf | |
![]() | K6X1008C2D-TQ55 | K6X1008C2D-TQ55 SAMSUNG TSSOP32 | K6X1008C2D-TQ55.pdf |