창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPB120N06S402ATMA2 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx120N06S4-02 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | 자동차, AEC-Q101, OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 신제품 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.8m옴 @ 100A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 140µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 195nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 15750pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 188W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | PG-TO263-3-2 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | SP001028776 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPB120N06S402ATMA2 | |
관련 링크 | IPB120N06S, IPB120N06S402ATMA2 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
CA-301 20.0000M-C:PBFREE | 20MHz ±30ppm 수정 18pF 40옴 -20°C ~ 70°C 스루홀 원통형 캔, 레이디얼 | CA-301 20.0000M-C:PBFREE.pdf | ||
ERJ-2GEJ221X | RES SMD 220 OHM 5% 1/10W 0402 | ERJ-2GEJ221X.pdf | ||
CF18JT100R | RES 100 OHM 1/8W 5% CARBON FILM | CF18JT100R.pdf | ||
24C02EM8 | 24C02EM8 NSC SOP8 | 24C02EM8.pdf | ||
TCA530 | TCA530 PHI DIP-S16P | TCA530.pdf | ||
STP7NC80FP | STP7NC80FP ST TO-220F | STP7NC80FP.pdf | ||
RC0402J1K1Y | RC0402J1K1Y ORIGINAL SMD or Through Hole | RC0402J1K1Y.pdf | ||
DP7241WI | DP7241WI CPL-E SOP20 | DP7241WI.pdf | ||
WR-120PB-VF-N1 | WR-120PB-VF-N1 JAE/WSI SMD or Through Hole | WR-120PB-VF-N1.pdf | ||
ZTTCS33.80MX | ZTTCS33.80MX ORIGINAL SMD or Through Hole | ZTTCS33.80MX.pdf | ||
ISL60002BIH326Z | ISL60002BIH326Z Intersil SOT23-3 | ISL60002BIH326Z.pdf | ||
LQG15HN3N9S00D | LQG15HN3N9S00D ORIGINAL SMD or Through Hole | LQG15HN3N9S00D.pdf |