홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 단일 » 2SC3646S-P-TD-E

ON Semiconductor 2SC3646S-P-TD-E

2SC3646S-P-TD-E
제조업체 부품 번호
2SC3646S-P-TD-E
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 단일
간단한 설명
TRANS NPN 100V 1A
데이터 시트 다운로드
다운로드
2SC3646S-P-TD-E 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 304.55550
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 2SC3646S-P-TD-E 재고가 있습니다. 우리는 ON Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 ON Semiconductor 전자 부품 전문. 2SC3646S-P-TD-E 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. 2SC3646S-P-TD-E가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
2SC3646S-P-TD-E 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
2SC3646S-P-TD-E 매개 변수
내부 부품 번호EIS-2SC3646S-P-TD-E
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
표준 포장 1,000
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 단일
제조업체ON Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형NPN
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)1A
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)100V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic400mV @ 40mA, 400mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)100nA(ICBO)
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce140 @ 100mA, 5V
전력 - 최대500mW
주파수 - 트랜지션120MHz
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-243AA
공급 장치 패키지PCP
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)2SC3646S-P-TD-E
관련 링크2SC3646S-, 2SC3646S-P-TD-E 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통
2SC3646S-P-TD-E 의 관련 제품
1M Ohm 0.5W, 1/2W PC Pins Through Hole Trimmer Potentiometer Cermet 25 Turn Top Adjustment 3292W-1-105.pdf
RES SMD 38.3 OHM 0.5% 1/16W 0402 RT0402DRD0738R3L.pdf
BSP2314TV1.5 INFINEON SOP8 BSP2314TV1.5.pdf
145041-2 MOT PLCC20 145041-2.pdf
TLP1760 TOS DIP TLP1760.pdf
IRF624STRLPBF IR TO-263 IRF624STRLPBF.pdf
49MC225B020MOAS KEMET 20V2.2 49MC225B020MOAS.pdf
MC68EC030PV25C MOT TQFP MC68EC030PV25C.pdf
C-2409D MAX SMD or Through Hole C-2409D.pdf
22-55-2142 MOLEX SMD or Through Hole 22-55-2142.pdf
1S916 ORIGINAL SMD or Through Hole 1S916.pdf