창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-2SB1386T100R | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 2SB1386/1412/1326 | |
| 카탈로그 페이지 | 1640 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| 트랜지스터 유형 | PNP | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 5A | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 20V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 1V @ 100mA, 4A | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 500nA(ICBO) | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 180 @ 500mA, 2V | |
| 전력 - 최대 | 2W | |
| 주파수 - 트랜지션 | 120MHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-243AA | |
| 공급 장치 패키지 | MPT3 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | 2SB1386T100R-ND 2SB1386T100RTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 2SB1386T100R | |
| 관련 링크 | 2SB1386, 2SB1386T100R 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | UHD1H220MDD1TD | 22µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 105°C | UHD1H220MDD1TD.pdf | |
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![]() | RT1206BRE0762RL | RES SMD 62 OHM 0.1% 1/4W 1206 | RT1206BRE0762RL.pdf | |
![]() | GP1A73AJ000F | GP1A73AJ000F ORIGINAL SMD or Through Hole | GP1A73AJ000F.pdf | |
![]() | 103339-HMC310MS8G | 103339-HMC310MS8G HITTITE SMD or Through Hole | 103339-HMC310MS8G.pdf | |
![]() | BTS412BSMD | BTS412BSMD Siemens SMD or Through Hole | BTS412BSMD.pdf | |
![]() | ID8237A | ID8237A INTEL DIP40 | ID8237A.pdf | |
![]() | 22023203 | 22023203 Molex SMD or Through Hole | 22023203.pdf | |
![]() | LO T670 | LO T670 OSRAMOPTOsimicondu (ROHS) | LO T670.pdf | |
![]() | VT51V7405-6DJ | VT51V7405-6DJ VT SMD or Through Hole | VT51V7405-6DJ.pdf |