창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-2SA1962OTU | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 2SA1962, FJA4213 | |
| PCN 설계/사양 | Heat Sink Drawing Update 11/Feb/2014 | |
| PCN 조립/원산지 | Assembly Site Transfer 06/Apr/2015 | |
| 카탈로그 페이지 | 1597 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | PNP | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 17A | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 250V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 3V @ 800mA, 8A | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 5µA(ICBO) | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 80 @ 1A, 5V | |
| 전력 - 최대 | 130W | |
| 주파수 - 트랜지션 | 30MHz | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-3P-3, SC-65-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-3P | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 2SA1962OTU | |
| 관련 링크 | 2SA196, 2SA1962OTU 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | THS9001DBVT | RF Amplifier IC Cellular, CDMA, TDMA, PCS 50MHz ~ 350MHz SOT-23-6 | THS9001DBVT.pdf | |
![]() | T510B226K006AS | T510B226K006AS KEMET SMD or Through Hole | T510B226K006AS.pdf | |
![]() | SU-201K | SU-201K MEDL SMD or Through Hole | SU-201K.pdf | |
![]() | CSACV16.00MXJ040-TC2 | CSACV16.00MXJ040-TC2 MURATA SMD or Through Hole | CSACV16.00MXJ040-TC2.pdf | |
![]() | K2655 | K2655 TOSHIBA TO-3P | K2655.pdf | |
![]() | CNY14-1-X001 | CNY14-1-X001 VIS/INF DIP SOP6 | CNY14-1-X001.pdf | |
![]() | 7663SACPA | 7663SACPA HARRIS DIP | 7663SACPA.pdf | |
![]() | IDT7134S45L48B | IDT7134S45L48B IDT LCC | IDT7134S45L48B.pdf | |
![]() | 70R1A120 | 70R1A120 IR SMD or Through Hole | 70R1A120.pdf | |
![]() | 1002541100411A | 1002541100411A ORIGINAL SMD or Through Hole | 1002541100411A.pdf | |
![]() | 1193I | 1193I LINEAR SMD or Through Hole | 1193I.pdf | |
![]() | CXK5816PN | CXK5816PN SONY DIP | CXK5816PN.pdf |