창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-2N7002H-13 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 2N7002H | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 170mA(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.5옴 @ 50mA, 5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 0.35nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 26pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 370mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23 | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 다른 이름 | 2N7002H-13DI | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 2N7002H-13 | |
| 관련 링크 | 2N7002, 2N7002H-13 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | AR912P27 | AR912P27 ANSALDO MODULE | AR912P27.pdf | |
![]() | MC7448-VU867NC | MC7448-VU867NC FREESCALE BGA | MC7448-VU867NC.pdf | |
![]() | LT1585IM | LT1585IM Linear TO-263 | LT1585IM.pdf | |
![]() | EM128C08 | EM128C08 ORIGINAL SMD or Through Hole | EM128C08.pdf | |
![]() | CL201209T-2R2K-N | CL201209T-2R2K-N CHILISIN SMD | CL201209T-2R2K-N.pdf | |
![]() | IL-312-60PB-VF-A1-E3500 | IL-312-60PB-VF-A1-E3500 JAE SMD | IL-312-60PB-VF-A1-E3500.pdf | |
![]() | UD2-12SNUN | UD2-12SNUN NEC SMD or Through Hole | UD2-12SNUN.pdf | |
![]() | ACE302C293FBM+H | ACE302C293FBM+H ACE SMD or Through Hole | ACE302C293FBM+H.pdf | |
![]() | DS1110-100+ | DS1110-100+ DALLAS SMD | DS1110-100+.pdf | |
![]() | B58600D8010A011 | B58600D8010A011 EPCOS DIP | B58600D8010A011.pdf | |
![]() | SL1MOA2S30/D | SL1MOA2S30/D NXP Onlyoriginal | SL1MOA2S30/D.pdf | |
![]() | RM15WTPZ-10P(71) | RM15WTPZ-10P(71) HIROSE SMD or Through Hole | RM15WTPZ-10P(71).pdf |