창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-2N6768T1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 2N6764,66,68,70T1 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 400V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 14A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 400m옴 @ 14A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 110nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
| 전력 - 최대 | 4W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-254-3, TO-254AA(직선 리드(Lead) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-254AA | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 2N6768T1 | |
| 관련 링크 | 2N67, 2N6768T1 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
| SI7106DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 20V 12.5A 1212-8 | SI7106DN-T1-GE3.pdf | ||
![]() | CD74FCT163244ASM | CD74FCT163244ASM HARRIS SMD or Through Hole | CD74FCT163244ASM.pdf | |
![]() | IS62LV256-70N | IS62LV256-70N ISSI DIP | IS62LV256-70N.pdf | |
![]() | KDZ9.1BTR | KDZ9.1BTR ROHM SMD or Through Hole | KDZ9.1BTR.pdf | |
![]() | 5557932-2 | 5557932-2 Tyco/AMP NA | 5557932-2.pdf | |
![]() | 74hc594dwr | 74hc594dwr ti sop | 74hc594dwr.pdf | |
![]() | RN412ESTTE2611F50 | RN412ESTTE2611F50 koa SMD or Through Hole | RN412ESTTE2611F50.pdf | |
![]() | CDRH5D14/HPNP-1R4NC | CDRH5D14/HPNP-1R4NC SUMIDA SMD or Through Hole | CDRH5D14/HPNP-1R4NC.pdf | |
![]() | MOC5083 | MOC5083 MOT DIP-6 | MOC5083.pdf | |
![]() | BAG-P76X127 | BAG-P76X127 ORIGINAL SMD or Through Hole | BAG-P76X127.pdf | |
![]() | O61 | O61 ORIGINAL SOP8 | O61.pdf |