창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-2N6660JTXP02 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 2N6660(2)/2N6660JANTX(V) | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 990mA(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3옴 @ 1A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 50pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 725mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-205AF(TO-39) | |
| 표준 포장 | 20 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 2N6660JTXP02 | |
| 관련 링크 | 2N6660J, 2N6660JTXP02 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0805D330MXXAP | 33pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D330MXXAP.pdf | |
![]() | RPER71H472K2S1A03A | 4700pF 50V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.197" L x 0.098" W(5.00mm x 2.50mm) | RPER71H472K2S1A03A.pdf | |
![]() | LD1-101-R | 100µH Unshielded Wirewound Inductor 360mA 1.72 Ohm Max Nonstandard | LD1-101-R.pdf | |
![]() | CRCW0805121RFHEAP | RES SMD 121 OHM 1% 1/8W 0805 | CRCW0805121RFHEAP.pdf | |
![]() | ET203 | ET203 FUJ SMD or Through Hole | ET203.pdf | |
![]() | DINS6TA2 | DINS6TA2 SONY SMD or Through Hole | DINS6TA2.pdf | |
![]() | IHLP5050FDR | IHLP5050FDR VISHAY SMD or Through Hole | IHLP5050FDR.pdf | |
![]() | CD4529BE | CD4529BE HAR DIP-16 | CD4529BE.pdf | |
![]() | LK202-25-WB | LK202-25-WB MatrixOrbital SMD or Through Hole | LK202-25-WB.pdf | |
![]() | N384001 | N384001 OKI QFP | N384001.pdf | |
![]() | 2N2374 | 2N2374 MOT CAN | 2N2374.pdf | |
![]() | GL8PR42 | GL8PR42 SHARP 695nmR | GL8PR42.pdf |