창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-2N6660JTXP02 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | 2N6660(2)/2N6660JANTX(V) | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 990mA(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3옴 @ 1A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 50pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 725mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-205AF(TO-39) | |
| 표준 포장 | 20 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | 2N6660JTXP02 | |
| 관련 링크 | 2N6660J, 2N6660JTXP02 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | 06035J1R5BAWTR | 1.5pF Thin Film Capacitor 50V 0603 (1608 Metric) 0.063" L x 0.032" W (1.60mm x 0.81mm) | 06035J1R5BAWTR.pdf | |
![]() | LQH32MN3R9K23L | 3.9µH Unshielded Wirewound Inductor 290mA 1.1 Ohm Max 1210 (3225 Metric) | LQH32MN3R9K23L.pdf | |
![]() | CMP3217AA1-F60E | CMP3217AA1-F60E CMP BGA | CMP3217AA1-F60E.pdf | |
![]() | IL664 | IL664 INFINEON DIP-6 | IL664.pdf | |
![]() | TF361G-A | TF361G-A Sanken N A | TF361G-A.pdf | |
![]() | RTD2533V | RTD2533V REALTEK QFP | RTD2533V.pdf | |
![]() | M4257F | M4257F JRC SIP3 | M4257F.pdf | |
![]() | MC68HC11F1CFNE4 | MC68HC11F1CFNE4 MOTOROLA PLCC | MC68HC11F1CFNE4.pdf | |
![]() | MVR32KXBRN202 | MVR32KXBRN202 ORIGINAL SMD or Through Hole | MVR32KXBRN202.pdf | |
![]() | 8Z4DG | 8Z4DG NO SMD or Through Hole | 8Z4DG.pdf | |
![]() | PK160FB80 | PK160FB80 SANREX SMD or Through Hole | PK160FB80.pdf | |
![]() | KST10 TEL:82766440 | KST10 TEL:82766440 FAIRCHILD SOT23 | KST10 TEL:82766440.pdf |