창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-2N6660JTXP02 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | 2N6660(2)/2N6660JANTX(V) | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 990mA(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3옴 @ 1A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 50pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 725mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | |
공급 장치 패키지 | TO-205AF(TO-39) | |
표준 포장 | 20 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | 2N6660JTXP02 | |
관련 링크 | 2N6660J, 2N6660JTXP02 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | 1812L050PR | PTC .50A 15VDC RESETTABLE 1812L | 1812L050PR.pdf | |
![]() | VLCF4020T-4R7N1R2 | 4.7µH Shielded Wirewound Inductor 1.24A 98 mOhm Max Nonstandard | VLCF4020T-4R7N1R2.pdf | |
![]() | TW04F | TW04F TOSHIBA 3.9- P | TW04F.pdf | |
![]() | 1KAB10E | 1KAB10E IR D-38 | 1KAB10E.pdf | |
![]() | LAL296-Q2R2-23-Z(R1) | LAL296-Q2R2-23-Z(R1) OSRAM SMD or Through Hole | LAL296-Q2R2-23-Z(R1).pdf | |
![]() | MTC-20154 | MTC-20154 ST QFP | MTC-20154.pdf | |
![]() | B7-40-00-P | B7-40-00-P ABB SMD or Through Hole | B7-40-00-P.pdf | |
![]() | RVC-16V100MD61-R2 | RVC-16V100MD61-R2 ELNA SMD | RVC-16V100MD61-R2.pdf | |
![]() | MG80C186-10 5962-8850101ZA | MG80C186-10 5962-8850101ZA INTEL CPGA72 | MG80C186-10 5962-8850101ZA.pdf | |
![]() | UCC2808AN-2 | UCC2808AN-2 TI DIP-8 | UCC2808AN-2.pdf | |
![]() | D16876Z-66 | D16876Z-66 TI TQFP100 | D16876Z-66.pdf | |
![]() | S8330A30FSTS | S8330A30FSTS SEIKO SMD or Through Hole | S8330A30FSTS.pdf |