창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BAR6503WE6327HTSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BAR65 | |
| PCN 설계/사양 | Diode Pad Design Chg 22/Jul/2016 | |
| PCN 포장 | Reel Cover Tape Chg 16/Feb/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | RF 다이오드 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 핀 - 단일 | |
| 전압 - 피크 역(최대) | 30V | |
| 전류 - 최대 | 100mA | |
| 정전 용량 @ Vr, F | 0.8pF @ 3V, 1MHz | |
| 저항 @ If, F | 900m옴 @ 10mA, 100MHz | |
| 내전력(최대) | 250mW | |
| 패키지/케이스 | SC-76, SOD-323 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-SOD323-2 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | BAR 65-03W E6327 BAR 65-03W E6327-ND BAR6503WE6327XT SP000010186 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BAR6503WE6327HTSA1 | |
| 관련 링크 | BAR6503WE6, BAR6503WE6327HTSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
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![]() | AQ147A200GAJME | 20pF 500V 세라믹 커패시터 A 1111(2828 미터법) 0.110" L x 0.110" W(2.79mm x 2.79mm) | AQ147A200GAJME.pdf | |
![]() | MCR50JZHF33R2 | RES SMD 33.2 OHM 1% 1/2W 2010 | MCR50JZHF33R2.pdf | |
![]() | AF0805FR-072M94L | RES SMD 2.94M OHM 1% 1/8W 0805 | AF0805FR-072M94L.pdf | |
![]() | 31A-5250 | 31A-5250 ESAN DIP | 31A-5250.pdf | |
![]() | D428N2800 | D428N2800 AEG SMD or Through Hole | D428N2800.pdf | |
![]() | RD36MT1B | RD36MT1B NEC SMD or Through Hole | RD36MT1B.pdf | |
![]() | DQS-A13 | DQS-A13 synergymwave SMD or Through Hole | DQS-A13.pdf | |
![]() | D1809N44T | D1809N44T infineon/EUPEC SMD or Through Hole | D1809N44T.pdf | |
![]() | HDC-800H | HDC-800H ZHONGXU SMD or Through Hole | HDC-800H.pdf | |
![]() | PDF8584T | PDF8584T ORIGINAL SMD or Through Hole | PDF8584T.pdf | |
![]() | TRTEP13S-U370B014-A | TRTEP13S-U370B014-A ORIGINAL SMD or Through Hole | TRTEP13S-U370B014-A.pdf |