창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-2N65062 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | 2N65062 | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | TO-92 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | 2N65062 | |
| 관련 링크 | 2N65, 2N65062 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
| LGY2F331MELB | 330µF 315V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 7000 Hrs @ 105°C | LGY2F331MELB.pdf | ||
![]() | GRM1885C2A181GA01D | 180pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | GRM1885C2A181GA01D.pdf | |
![]() | 416F384X2AKT | 38.4MHz ±15ppm 수정 8pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F384X2AKT.pdf | |
| SI7852DP-T1-E3 | MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8 | SI7852DP-T1-E3.pdf | ||
![]() | LTR18EZPF2701 | RES SMD 2.7K OHM 3/4W 1206 WIDE | LTR18EZPF2701.pdf | |
![]() | TCS7736-9420377 | TCS7736-9420377 HOSIDEN SMD or Through Hole | TCS7736-9420377.pdf | |
![]() | TMS320VC549GGU-80 | TMS320VC549GGU-80 TI BGA | TMS320VC549GGU-80.pdf | |
![]() | NCP302LSN43T1 | NCP302LSN43T1 ON SOT153 | NCP302LSN43T1.pdf | |
![]() | PESDLC553T5VU | PESDLC553T5VU PRISEMI SMD or Through Hole | PESDLC553T5VU.pdf | |
![]() | LT1086CT#TRPBF | LT1086CT#TRPBF LT TO-220 | LT1086CT#TRPBF.pdf | |
![]() | CBC012-ES | CBC012-ES CYMBET QFN | CBC012-ES.pdf |