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ON Semiconductor 2N6052G

2N6052G
제조업체 부품 번호
2N6052G
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 단일
간단한 설명
TRANS PNP DARL 100V 12A TO3
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내부 부품 번호EIS-2N6052G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서2N6052G
카탈로그 페이지 1556 (KR2011-KO PDF)
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 단일
제조업체ON Semiconductor
계열-
포장트레이
부품 현황유효
트랜지스터 유형PNP - 달링턴
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)12A
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)100V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic3V @ 120mA, 12A
전류 - 콜렉터 차단(최대)1mA
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce750 @ 6A, 3V
전력 - 최대150W
주파수 - 트랜지션-
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-204AA, TO-3
공급 장치 패키지TO-3
표준 포장 100
다른 이름2N6052GOS
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)2N6052G
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